.RU

§ 1. МОП-транзисторы с ультра тонкими подзатворными окислами - Краткий курс лекций лекция Введение Вопросы для рассмотрения:...


§ 1. МОП-транзисторы с ультра тонкими подзатворными окислами


Тонкий подзатворный окисел позволяет улучшить управление над током стока затворного напряжения за счет снижения доли этого напряжения, расходуемого на формирование зарядов обедненных областей истока и стока. Это позволит стабилизировать дрейф порогового напряжения и сохранение транзистором своих переключающих свойств (с “1” на “0” и обратно). Однако с уменьшением толщины окисла заметно возрастают токи утечки, вызванные процессами туннелирования электронов через его толщину непосредственно из канала на затвор. На рис. 26 приведены зависимости плотности тока утечки через подзатворный окисел. С учетом того, что , для стабильной работы МОП-транзистора предельной толщиной окисла принято значение dox = 2,4 нм.




Рис. 26. Плотность тока утечки через подзатворный оксид кремния


Тщательные экспериментальные исследования показали, что для транзисторов с параметрами Lch = 0,07 мкм (70 нм), dj = 0,02 мкм (20 нм) и NA = 1024 м–3 для сохранения требуемого управления электрическим током необходимо создавать окисел (SiO2) толщиной не более 1,5 нм, который согласно рисунку 26 имеет недопустимо высокий ток утечки. Преодолеть данное затруднение можно путем использования других диэлектриков вместо SiO2, которые имеют заметно более высокое значение диэлектрической проницаемости. Эти диэлектрики получили название κ-диэлектриков. В таблице приведены ключевые физические данные, соответствующие важнейшим из них.

При использовании вместо SiO2 κ-диэлектриков такое же как и для SiO2 управление инверсным зарядом при κ-диэлектрике будет поддерживаться при уже заметно бóльшей толщине диэлектрика. Это означает, что VG одинаково управляет ВАХ транзистора и при , и при , которые соотносятся друг с другом как

.

Например, вместо SiO2 с = 1 нм с тем же управлением по току можно использовать Ta2O5 с = 6,4 нм. А при толщине подзатворного диэлектрика равным 6,4 нм ток утечки по сравнению с толщиной 1 нм будет меньше более чем на 10 порядков величины (в десятки миллиардов раз).


Таблица – Параметры подзатворных диэлектриков

Диэлектрик

Диэлектрическая постоянная, ε

Ширина запрещенной зоны, EG, эВ

Потенциальный барьер на границе с кремнием, Eb, эВ

Al3O2

9

8,7

2,8

TiO2

В зависимости от технологического процесса получения

4÷86

3,5

1,2

Ta2O5

26

4,5

1,5

HfO2

25

5,7

1,4

ZrO2

25

7,8

1,5

La2O3

30

4,3

2,3

Y2O3

15

5,6

2,3

Er2O3

14,4

7,5

3,5

PrO2

25

3

1,0

SiO2

3,9

8,9

3,2


Однако применение κ-диэлектриков помимо серьезных технологических проблем, связанных с их нанесением на кремниевую подложку, имеет еще один существенный недостаток. Наиболее перспективные κ-диэлектрики — TiO2, Ta2O5, HfO2 — имеют очень малую высоту потенциального барьера Eb (четвертая колонка таблицы) для горячих электронов (от 1,2 эВ до 1,5 эВ), что недопустимо, так как приводит к сильной деградации транзисторов вследствие эффектов горячих электронов. Преодоление этой проблемы связано с формированием между κ-диэлектриком и Si буферного слоя SiO2. Данный слой, имея Eb = 3,2 эВ, не допускает, точнее, сдерживает инжекцию горячих электронов в подзатворный окисел (см. рис. 27 и 28).

Слой κ-диэлектрика позволяет увеличить толщину подзатворного диэлектрика без потери в управлении током стока. Это управление определяется так называемой эквивалентной толщиной диэлектрика , равной

.














Рис. 27. Однослойный подзатворный диэлектрик




Рис. 28. Двухслойный подзатворный диэлектрик


Эта величина определяет удельную емкость подзатворного диэлектрика , которая определяет концентрацию инверсного заряда в канале транзистора: . В то же время ток утечки через подзатворный диэлектрик будет определяться физической толщиной этого двухслойного диэлектрика, которая равна . Например, структура с одним слоем SiO2 толщиной = 2 нм однотипна по свойству управления подвижным зарядом в канале двухслойной структуре, в частности, со слоем Ta2O5 толщиной = 6,4 нм и буферным слоем SiO2 толщиной = 1 нм, т.е. подзатворному диэлектрику общей толщиной в 7,4 нм.

Обычно технология создания таких диэлектриков построена на формировании на поверхности кремния обычным окислением тонкого окисла SiO2, а потом напылении на этом слое SiO2 слоя κ-диэлектрика.


§ 2. МОП-транзисторы с S4D –областями истока и стока.


На рис. 29 приведена геометрическая схема его структуры.





Рис. 29. Структура S4D-МОП-транзистора


В этом транзисторе горячие электроны отделены от затвора двумя диэлектриками — подзатворным SiO2 толщиной порядка 4 нм и спейсером Si3N4 толщиной порядка 20нм. В канале их, как правило, очень мало и они слабо инжектируют в подзатворный окисел, и потому почти не вызывают деградацию порогового напряжения. Подавляющее же их большинство (также как и в стандартной LATID–конструкции) образуется в подлегированной области. Но эта область расположена уже под спейсером толщиной 20 нм, а не под тонким окислом. В результате горячие электроны как бы изолируются, изымаясь из процессов, определяющих надежную работу МОП-транзистора. Во-первых, проникнуть через толстый спейсер и вызвать ток утечки затвора они практически не в состоянии. Во-вторых, их проникновение в этот спейсер и оседание в нем на ловушках фактически никак не влияет на пороговое напряжение, так как для последнего главное — чистота от горячих электронов подзатворного SiO2, а не спейсера Si3N4. И, в-третьих, создаваемые в LATID-области горячие электроны из-за близости пленки силицида титана, образующего сток, почти мгновенно уходят на нее, не производя лавинного умножения носителей заряда и не вызывая таким образом деградации тока стока. Ввиду того, что в этом токе заметно увеличивается доля горячих электронов, величина его в S4D-МОП-транзисторе должна быть заметно выше по сравнению с другими типами МОП-транзисторов и при этом ток стока должен быть более устойчивым к деградационным процессам, вызванным горячими электронами.

Таким образом, S4D-МОП-транзисторы могут рассматриваться сегодня как одни из самых перспективных МОП-конструкций для транзисторов с длиной канала порядка 0,1мкм.


§ 3. КНИ-МОП-транзисторы


Одной из перспективных конструкций МОП-транзисторов являются КНИ-МОП-транзисторы. На рис. 30 представлена наиболее интенсивно исследуемая теоретически и экспериментально структура с полностью обедненным проводящим слоем кремния, эпитаксиально выращенным на толстом слое оксида кремния. Наибольшее внимание сегодня имеют транзисторы со следующим конструктивно-технологическими параметрами:

Lch = 0,075÷0,15 мкм; NA = 1023 ÷51023 м–3; dox = 3÷8 нм; dj = 3÷10 нм; dch= =5÷10 нм; dbur= 10÷100нм; n+ =1025 м–3.





Рис. 30. Полностью обедненные КНИ-МОП-транзисторы


Преимущества КНИ-МОП-транзисторов связаны с двумя достоинствами. Первое — область обеднения заряда ограничена не размером , как в стандартном МОП-транзисторе, а только величиной dch, которая фактически сравнима с . В этой связи инверсный заряд легко контролируется , и короткоканальные эффекты практически не влияют на этот заряд, а следовательно и их действие незначительно. Точно также снижено и влияние вторичных дырок на увеличение тока стока в связи с уменьшением , однако до конца оно не убирается, так как вторичные дырки вынуждены удаляться из канала только через исток, где они модифицируют определенным образом высоту барьера исток-канал (наподобие эффекта DIBL).

Второе достоинство связано с защитным окислом (SiO2 buried). На его границе с каналом возникает напряженность поля, которую можно рассчитать согласно:

,

где и – напряженность поля на поверхности защитного окисла и падение напряжения в нем.

Эта напряженность поля вызывает такое распределение потенциала в канале КНИ-МОП-транзистора, что по сравнению со стандартным МОП-транзистором, во-первых, напряженность продольной составляющей поля в канале слегка уменьшается и изменяется вдоль канала более пологим образом, а во-вторых, напряженность поперечной составляющей вообще фактически равна 0. Очевидно, что благодаря этому и разогрев электронов в КНИ-МОП-транзисторах будет заметно меньше, нежели в стандартных МОП-транзисторах. Тем не менее, при очень малых длинах канала, инжекция горячих электронов в подзатворный окисел будет со временем приводит к деградации локального порогового напряжения, которая совершенно нежелательна при переключениях истока и стока.


§ 4. SiGe–МОП-транзисторы


На рис. 31 приведена конструктивная схема МОП-транзисторов на основе SixGe1–x гетероструктур. Перспективные конструкции данных транзисторов исследуются в следующих диапазонах: Lch = 0,08÷0,15 мкм; dox = 3÷8 нм; dch= 10÷20 нм; NA =1023 ÷51023 м–3; dj = 0,05÷0,2 мкм; n+=1025 м–3.



VG




VS

VD





SiO2 gate

dox




n+

n+

n – Si

Lch

dch


SixGe1–x

dbur




Рис. 31. МОП-транзисторы на основе SixGe1–x гетероструктур


Характер работы МОП-транзисторов на SixGe1–x гетероструктурах и проявления короткоканальных эффектов и эффектов горячих электронов в его канале однотипны КНИ-МОП-транзисторам. Различия наблюдаются только в физических свойствах проводящих каналов.

Проводящий канал транзистора сформирован в так называемом напряженном слое кремния. Фактически в этом транзисторе образуется сверхрешетка, у которой в слое кремния модифицируется некоторые физические константы под слой SixGe1–x, в частности, уменьшаются ширина запрещенной зоны и масса проводимости электронов. Это, во-первых, приводит к еще более лучшему управлению током с помощью затворного напряжения, а во-вторых, обеспечивает более высокую подвижность электронов в канале. Последнее в совокупности с малой длиной канала приводит к некоторому росту средней энергии электронов в канале, но при этом и к очень резкому спаду функции распределения по энергии. В результате количество горячих электронов (с энергиями 2 эВ и выше) в канале транзистора заметно уменьшается по сравнению со стандартными МОП-транзисторами и даже с КНИ-МОП-транзисторами. Очевидно ожидать вследствие этого дополнительного снижения влияния эффектов горячих электронов.


Контрольные вопросы


1. Что такое МОП-транзистор и его принципиальное отличие от биполярного транзистора?

2. Каковы основные функции МОП-транзисторов в современных микросхемах?

3. В чем заключается цифровая функция МОП-транзисторов?

4. p- или n-канальные МОП-транзисторы являются ключевым функциональным звеном логического элемента НЕ?

5. Что такое комплементарный МОП-транзистор?

6. Что такое защелкивание МОП-транзисторов?

7. Что такое приборы с зарядовой связью?

8. В каких устройствах и сегодня активно используются ПЗС-матрицы?

9. Как происходит запись информации на элементы флеш-памяти?

10. Какова причина образования инверсионного слоя в МОП-транзисторе?

11. Обедненный или обогащенный слой образуется в n-канальных МОП-транзисторах при нулевом напряжении на затворе?

12. Что такое напряжение плоских зон?

13. Что такое пороговое напряжение и может ли оно равняться нулю?

14. Какой закон определяет падение напряжения на границе раздела подзатворный окисел/подложка транзистора при ненулевом затворном напряжении?

15. В сторону подложки или затвора изогнутся зоны в окисле для n-канального МОП-транзистора при отрицательном напряжении на затворе?

16. Чему равна емкость подзатворного окисла?

17. Какие процессы определяют время переключения МОП-транзистора?

18. Равно ли время образования инверсионного слоя времени переключения МОП-транзистора?

19. Какое основное условие появления линейного участка ВАХ МОП-транзистора?

20. Какие процессы определяют нелинейность ВАХ МОП-транзистора?

21. Какие основные параметры характеризуют электронный перенос в МОП-транзисторе?

22. Какие факторы преимущественно определяют величины этих параметров?

23. Какие основные механизмы рассеяния прерывают свободный пробег электронов в канале МОП-транзисторов?

24. Что такое “горячий” электрон?

25. Что такое короткоканальные эффекты в МОП-транзисторах и почему их отличают от эффектов горячих электронов?

26. Что такое DIBL-эффект?

27. Для чего нужны нужны диэлектрики с высоким значением диэлектрической проницаемости?

28. В чем преимущества КНИ-МОП-транзисторов?

29. В чем преимущества SiGe-МОП-транзисторов?

30. Каковы основные тенденции миниатюризации кремниевых МОП-транзисторов?

^ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ


Лабораторная работа 1.

Расчет влияния длины канала МОП-транзистора на величину напряженности поля вблизи стока


^ Цель работы: Научиться рассчитывать распределение потенциала в канале МОП-транзистора с помощью компьютерной программы ЖSiМОП_ТР.


Теоретическая часть:

Компьютерная программа ЖSiМОП_ТР моделирует перенос большого числа электронов в канале кремниевого МОП-транзистора методом Монте-Карло. Она позволяет с помощью данного численного моделирования рассчитать значения электрического потенциала в любой точке проводящего канала транзистора. При запуске программа запрашивает информацию о ряде конструктивно-технологических параметров моделируемого МОП-транзистора и величине приложенных к электродам напряжений. После счета (несколько часов) программа выдает большое количество данных о поведении моделируемого МОП-транзистора в исследуемых условиях.


^ Практическая часть:

1. В соответствии со своим вариантом выбрать данные транзистора для моделировния




Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

, мкм

0.5

0.6

0.4

0.3

0.7

0.25

0.4

0.5

, нм

10

12

8

8

12

7

10

9

, нм

50

60

40

40

50

30

30

40

, В

2

3

2

1

4

2

3

3

, В

2

2

1

1

1

1

2

2

2. Запуская для моделирования в программе ЖSiМОП_ТР 1000 электронов снять значения электрического потенциала в 20 точках проводящего канала расположенных у стока на расстоянии 1/10 от . При этом смотреть точки как у поверхности раздела окисел–полупроводник, так и в глубине подложки.

3. Построить распределения электрического потенциала вблизи стока МОП-транзистора.

4. Рассчитать напряженность поля вблизи стока в разных сечениях в глубь подложки по формуле , где – изменение потенциала на расстоянии 1/10 от стока в данном сечении, а = 1/10 .


Лабораторная работа 2.

Измерение ВАХ МОП-транзистора и определение порогового напряжения


Цель работы: Получить ВАХ МОП-транзистора и научиться определять из них величину порогового напряжения.


^ Теоретическая часть:

Входная характеристика МОП-транзистора определяет зависимость тока стока от затворного напряжения при разных напряжениях на стоке или подложке. Данная характеристика при разных напряжениях на подложке имеет вид




С увеличением напряжения на подложке для того, чтобы получить одно и то же значение тока стока, нужно подавать более высокое значение напряжения на затворе. Это связано с тем, что напряжение на подложке увеличивает пороговое напряжение. Как известно, величина инверсного заряда определяется согласно


.


Очевидно, что с ростом напряжения на подложке , величина инверсного заряда , а соответственно и тока стока , будет уменьшаться. Чтобы поддерживать величину тока на одном уровне, надо увеличивать напряжение на затворе . Построенная зависимость от при конкретном имеет два участка — пологий нелинейный и крутой линейный. Если продлить линейный участок до пересечения с осью , в точке пересечения его с этой осью получим величину , соответствующую пороговому напряжению .


Практическая часть:

1. Для работы использовать лабораторный стенд с тестовыми МОП-транзисторами.

2. В соответствии со своим вариантом выбрать значение напряжения на стоке




Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

, В

0,5

1

0,75

0,3

0,8

1,2

0,6

0,4

3. Снять ВАХ тестового МОП-транзистора, заполнив следующую таблицу.

4. Построить данные ВАХ.

5. Определить на ВАХ значения порогового напряжения для разных значений , заполнив таблицу




= 1 В

= 2 В

= 4 В

= 7 В

= 10 В

, В

















6. Построить график зависимости () для тестового МОП-транзистора.


Лабораторная работа 3.

Определение концентрации примеси в подложке МОП-транзистора

при измерении ВАХ транзистора


^ Цель работы: Рассчитать с помощью входных ВАХ тестового МОП-транзистора концентрацию акцепторной примеси в подложке.


Теоретическая часть:

Входные ВАХ МОП-транзистора имеют вид




При разных напряжениях на подложке , между кривыми тока, полученными для двух любых и практически сразу устанавливается постоянное значение сдвига VG. Величина этого сдвига, если = 0, может быть рассчитана согласно формуле


,


где , .


При увеличении напряжения чтобы поддерживать постоянным ток , нужно увеличивать величину . Очевидно, что можно получить зависимость от при условии постоянства . Она имеет вид




Угол  наклона касательной к данной зависимости в точке с очень малым значением (т.е. вблизи оси ) также может быть рассчитан аналитически с помощью следующей формулы

,


где , здесь = 0, , обеспечивает ту же величину при , что и при = 0.


Практическая часть:

1. Для работы использовать лабораторный стенд с тестовыми МОП-транзисторами.

2. В соответствии со своим вариантом выбрать значение напряжения на стоке




Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

, В

0.5

1

0.75

0.3

0.8

1.2

0.6

0.4

3. Снять входные ВАХ тестового МОП-транзистора для двух значений . При этом = 0, а взять в соответствии со своим вариантом




Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

, В

2

4

3

1

5

6

4

2

4. Построить ВАХ и найти из них величину VG.

5. Рассчитать по формуле, зная VG, величину . Толщина окисла равна =0.4 мкм.

6. Выберите значение тока стока, соответствующее = 0 и = 1.1 . Поддерживая это значение постоянным, построить зависимость от при условии постоянства . Заполните следующую таблицу




= 1 В

= 2 В

= 4 В

= 7 В

= 10 В

, В
















7. Рассчитайте величину .

8. Подставьте данную величину в формулу расчета и рассчитайте .

9. Сравните два значения , рассчитанные с помощью двух приемов.


-2-periomed-i-perideks-preimushestva-neosporimi-konferenciya-issledovatelskih-nauchnih-rabot-uchashihsya-shkol.html
-2-podhodi-k-protivostoyaniyu-prestupnosti-na-amerikanskom-kontinente-izdatelskaya-gruppa-infra-mnorma-moskva-1997.html
-2-politicheskoe-soznanie-filosofiya-uchebnik-2-e-izd-m-gardariki-2002-736-s.html
-2-pomeshik-i-krestyanin-istoriya-rossii-s-drevnejshih-vremen-do-konca-xx-veka.html
-2-ponyatie-i-vidi-takticheskih-priemov-v-kriminalistike-a-a-ejsman-gl-1-124-gl-2.html
-2-povolzhe-ural-sever-istoriya-rossii-s-drevnejshih-vremen-do-konca-xx-veka-v-3-h-knigah-kniga-i.html
  • studies.bystrickaya.ru/ekonomicheskaya-ocenka-effektivnosti-proizvodstva-produkcii-rastenievodstva-v-oao-alyans.html
  • zanyatie.bystrickaya.ru/nalogovij-kodeks-rf-chast-1.html
  • kanikulyi.bystrickaya.ru/xviii-cherez-parizh-volonter-devyanosto-vtorogo-goda.html
  • klass.bystrickaya.ru/aleks-orlov-brosok-salamandri-stranica-60.html
  • learn.bystrickaya.ru/gorshkova-l-l-bibliograficheskij-ukazatel-statej-opublikovannih-za-yanvar-mart-2011.html
  • shpargalka.bystrickaya.ru/upotreblenie-deeprichastnih-oborotov-uchebno-metodicheskij-kompleks-po-russkomu-yaziku-i-kulture-rechi-dlya-studentov.html
  • letter.bystrickaya.ru/monografiya-la-tihomirova-monarhicheskaya-gosudarstvennost-chast-7.html
  • laboratory.bystrickaya.ru/zakon-koldovskogo-vozmezdiya-stranica-3.html
  • znaniya.bystrickaya.ru/realizaciya-strategij-firmi.html
  • upbringing.bystrickaya.ru/kurs-lekcij-razrabotal-prepodavatel-stazher-kafedri-ekonomika-i-organizaciya-proizvodstva-klimuk-vladimir-vladimirovich-baranovichi-2010.html
  • letter.bystrickaya.ru/n-g-baranec-metamorfozi-etosa-stranica-10.html
  • znanie.bystrickaya.ru/7-podgotovka-nauchno-pedagogicheskih-i-nauchnih-kadrov-i-povishenie-kvalifikacii-nauchno-pedagogicheskih-rabotnikov.html
  • zadachi.bystrickaya.ru/otravlyayushie-veshestva.html
  • portfolio.bystrickaya.ru/opdf05-osnovi-marketinga-1-obshaya-harakteristika-specialnosti-071401-053100-socialno-kulturnaya-deyatelnost.html
  • occupation.bystrickaya.ru/obmen-uglevodov-i-ego-vzaimosvyazi-klinicheskaya-himiya-v-diagnostike-i-lechenii.html
  • kolledzh.bystrickaya.ru/410opredelenie-pobeditelya-konkursa-otkritij-odnoetapnij-konkurs-bez-predvaritelnogo-kvalifikacionnogo-otbora.html
  • lecture.bystrickaya.ru/5-1-chleni-predlozheniya-uchebnika-klassicheskogo-tibetskogo-pismennogo-yazika.html
  • control.bystrickaya.ru/doklad-mou-bolshesosnovskaya-srednyaya-obsheobrazovatelnaya-shkola.html
  • kolledzh.bystrickaya.ru/bd-biniti-elektrotehnika-2004-07-obuchayushie-programmi-uchebno-metodicheskie-kompleksi-kompyuternie-tehnologii-v-laboratornom.html
  • student.bystrickaya.ru/3programma-disciplini-uchebno-metodicheskij-kompleks-po-kursu-finansi-organizacij-predpriyatij-dlya-studentov.html
  • testyi.bystrickaya.ru/6-elektroprovodnost-rastvorov-elektrolitov-praktikum-po-fizicheskoj-himii-ekaterinburg-2003-g.html
  • upbringing.bystrickaya.ru/m-v-lomonosov-sluchilis-vmeste-dva-astronoma-v-piru-i-a-krilov-volk-na-psarne.html
  • education.bystrickaya.ru/-rassuzhdal-petya-dalshe-sofiya.html
  • kolledzh.bystrickaya.ru/arhtektura-rus-v-15-16-st-chast-5.html
  • student.bystrickaya.ru/4-izmerenie-stoimosti-zhizni-tema-makroekonomicheskaya-nauka-2.html
  • literature.bystrickaya.ru/ekspertnoe-zaklyucheniek-proektu-zakona-respubliki-kazahstano-vnesenii-dopolnenij-v-nekotorie-zakonodatelnie-akti-respubliki-kazahstan-po-voprosu-obespecheniya-deyatelnosti-upolnomochennogo-po-pravam-cheloveka.html
  • reading.bystrickaya.ru/kvecheru-oblaka-kuda-to-devalis-s-neba-i-k-tomu-vremeni-kogda-svetilo-pokinulo-nebosvod-nichto-ne-meshalo-zvezdochkam-vspihnut-yarkimi-tochkami-gde-to-tam-visok-stranica-22.html
  • klass.bystrickaya.ru/4-ukazaniya-po-vipolneniyu-kontrolnoj-raboti-metodicheskie-rekomendacii-studentam-specialnosti-marketing-po.html
  • uchitel.bystrickaya.ru/programma-vstupitelnih-ispitanij-po-obshestvoznaniyu-obrazovatelnij-standart-srednego-polnogo-obshego.html
  • report.bystrickaya.ru/kniga-pyataya-ladimirova.html
  • znanie.bystrickaya.ru/areglament-mne-mozhno-osvezhit-chtobi-ya-ponimal-kak-u-nas-vremya-raspredelyaetsya-segodnya-skolko-u-menya-est-na-izlozhenie-stranica-4.html
  • tasks.bystrickaya.ru/20-23-maya-2009-g-samarskaya-oblast-fgu-sanatorij-volzhskij-utyos-upravleniya-delami-prezidenta-rossijskoj-federacii.html
  • holiday.bystrickaya.ru/o-nacionalnoj-protivopolozhnosti-v-filosofii-shelling-f-v-j-sh44-sochineniya-v-2-t-per-s-nem-t-2sost-red.html
  • teacher.bystrickaya.ru/glava-v-osnovi-teorii-argumentacii-1-dokazatelstvo-obshaya-harakteristika-ponyatiya-6-vidi-ponyatii-9.html
  • teacher.bystrickaya.ru/glava-xi-pervaya-emigraciya-predislovie.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.